BLF878 RF POWER MOSFET TRANSISTOR -RF Transistör-FMUSER FM / TV Yayını Tek Durak Tedarikçisi

BLF878 RF GÜÇ MOSFET TRANSİSTÖRÜ Açıklama Yayın vericisi uygulamaları ve endüstriyel uygulamalar için 300 W LDMOS RF güç transistörü. Transistör, 300 MHz ila 470 MHz arasındaki tüm UHF bandı üzerinden 860 W geniş bant sağlayabilir. Bu cihazın mükemmel sağlamlığı ve geniş bant performansı, onu dijital verici uygulamaları için ideal hale getirir. sembol Parametre ● frekans aralığı = 470 ila 860 MHz ● PL (1dB) 1 dB kazanç sıkıştırmada nominal çıkış gücü 300 W ● Test sinyali: CW ● PL (PEP) çıkış gücü 300 W ● Gp güç kazancı VDS = 42 V; f1 = 860 MHz; f2 = 860.1 MHz; PL (PEP) = 300 W 18 21 dB Özellikler ve faydalar ● Mükemmel sağlamlık ● Yüksek güç kazancı ● Mükemmel güvenilirlik ● Yüksek verimlilik ● İyi th

Detay

Önceki:FMUSER 1 adet Orijinal Yeni MRF141G RF Güç MOSFET Transistör

Sonraki:1 ADET MRF275G orijinal RF transistör

Fiyatı (USD)	Adet (PCS)	Kargo (USD)	Toplam (USD)	Nakliye Yöntemi	Ödeme
226	1	0	226	DHL
				DHL

BLF878 RF GÜÇ MOSFET TRANSİSTÖR

Açıklama

Yayın vericisi uygulamaları ve endüstriyel uygulamalar için 300 W LDMOS RF güç transistörü. Transistör, 300 MHz ila 470 MHz arasındaki tüm UHF bandı üzerinden 860 W geniş bant sağlayabilir. Bu cihazın mükemmel sağlamlığı ve geniş bant performansı, onu dijital verici uygulamaları için ideal hale getirir.

sembol Parametre
●çılgın Frekans aralığı =470 - 860MHz
●PL (1dB) 1 dB'de nominal çıkış gücü sıkıştırma 300W kazanç
●Test sinyali: CW
●PL (PEP) çıkış gücü 300 W
●Gp güç kazancı VDS = 42 V; f1 = 860 MHz; f2 = 860.1 MHz; PL (PEP) = 300 W 18 21 dB

Özellikler ve faydalar
●mükemmel sağlamlık
●Yüksek güç kazancı
●Mükemmel güvenilirlik
●Yüksek verim
●Mükemmel termal stabilite
●Kolay güç kontrolü
●Entegre ESD koruması
●Dahili giriş ve çıkış eşleştirme
●Optimum termal davranış ve güvenilirlik için gelişmiş flanş malzemesi

●Tehlikeli Maddelerin Sınırlandırılması ile ilgili Direktif 2002 / 95 / EC Uyumlu